HGTP3N60A4D
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | HGTP3N60A4D |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL IGBT |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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226+ | $1.33 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
Testbedingung | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 6ns/73ns |
Schaltenergie | 37µJ (on), 25µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 29 ns |
Leistung - max | 70 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 21 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 17 A |
HGTP3N60A4D Einzelheiten PDF [English] | HGTP3N60A4D PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HGTP3N60A4DFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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